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IEEE纳米技术汇刊

英文名称:Ieee Transactions On Nanotechnology   国际简称:IEEE T NANOTECHNOL
《Ieee Transactions On Nanotechnology》杂志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊创刊于2002年,发行周期Quarterly,每期杂志都汇聚了全球工程技术领域的最新研究成果,包括原创论文、综述文章、研究快报等多种形式,内容涵盖了工程技术的各个方面,为读者提供了全面而深入的学术视野,为工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事业的进步提供了有力的支撑。
中科院分区
工程技术
大类学科
1536-125X
ISSN
1941-0085
E-ISSN
预计审稿速度: 约3.0个月
杂志简介 期刊指数 WOS分区 中科院分区 CiteScore 学术指标 高引用文章

IEEE纳米技术汇刊杂志简介

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版语言:English
TOP期刊:
出版地区:UNITED STATES
是否预警:

是否OA:未开放

出版周期:Quarterly
出版年份:2002
中文名称:IEEE纳米技术汇刊

IEEE纳米技术汇刊(国际简称IEEE T NANOTECHNOL,英文名称Ieee Transactions On Nanotechnology)是一本未开放获取(OA)国际期刊,自2002年创刊以来,始终站在工程技术研究的前沿。该期刊致力于发表在工程技术领域各个方面达到最高科学标准和具有重要性的研究成果。全面反映该学科的发展趋势,为工程技术事业的进步提供了有力的支撑。期刊严格遵循职业道德标准,对于任何形式的抄袭行为,无论是文字还是图形,一旦查实,均可能导致稿件被拒绝。

近年来,来自CHINA MAINLAND、USA、India、Taiwan、South Korea、Iran、GERMANY (FED REP GER)、Italy、France、Spain等国家和地区的研究者在《Ieee Transactions On Nanotechnology》上发表了大量的高质量文章。该期刊内容丰富,包括原创研究、综述文章、专题观点、论文预览、专家意见等多种类型,旨在为全球该领域研究者提供广泛的学术交流平台和灵感来源。

在过去几年中,该期刊保持了稳定的发文量和综述量,具体数据如下:

2014年:发表文章161篇、2015年:发表文章142篇、2016年:发表文章124篇、2017年:发表文章147篇、2018年:发表文章180篇、2019年:发表文章129篇、2020年:发表文章121篇、2021年:发表文章118篇、2022年:发表文章106篇、2023年:发表文章109篇。这些数据反映了期刊在全球工程技术领域的影响力和活跃度,同时也展示了其作为学术界和工业界研究人员首选资源的地位。《Ieee Transactions On Nanotechnology》将继续致力于推动工程技术领域的知识传播和科学进步,为全球工程技术问题的解决贡献力量。

期刊指数

  • 影响因子:2.1
  • 文章自引率:0.0833...
  • Gold OA文章占比:8.41%
  • CiteScore:4.8
  • 年发文量:109
  • 开源占比:0.1101
  • SJR指数:0.435
  • H-index:73
  • SNIP指数:0.783
  • 出版国人文章占比:0.2

WOS期刊SCI分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6%

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64%

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06%

中科院分区表

中科院SCI期刊分区 2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区 4区

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4.8 0.435 0.783
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

65%

大类:Engineering 小类:Computer Science Applications Q2 330 / 817

59%

学术指标分析

影响因子和CiteScore
Created with Highcharts 4.2.6影响因子CiteScore影响因子CiteScore2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年0123450246810
自引率
Created with Highcharts 4.2.6自引率5.35.76.66.35.24.28.34.8自引率2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年2023年3456789

影响因子:指某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。影响因子越高,代表着期刊的影响力越大 。

CiteScore:该值越高,代表该期刊的论文受到更多其他学者的引用,因此该期刊的影响力也越高。

自引率:是衡量期刊质量和影响力的重要指标之一。通过计算期刊被自身引用的次数与总被引次数的比例,可以反映期刊对于自身研究内容的重视程度以及内部引用的情况。

年发文量:是衡量期刊活跃度和研究产出能力的重要指标,年发文量较多的期刊可能拥有更广泛的读者群体和更高的学术声誉,从而吸引更多的优质稿件。

期刊互引关系
序号 引用他刊情况 引用次数
1 APPL PHYS LETT 177
2 IEEE T ELECTRON DEV 134
3 IEEE T NANOTECHNOL 128
4 NANO LETT 107
5 J APPL PHYS 100
6 ACS NANO 91
7 NATURE 90
8 SCIENCE 77
9 SENSOR ACTUAT B-CHEM 74
10 IEEE ELECTR DEVICE L 70
序号 被他刊引用情况 引用次数
1 IEEE T NANOTECHNOL 128
2 IEEE ACCESS 89
3 IEEE T ELECTRON DEV 88
4 MICROELECTRON J 47
5 IEEE SENS J 44
6 NANOTECHNOLOGY 42
7 MICROSYST TECHNOL 38
8 IEEE T VLSI SYST 37
9 J ELECTRON MATER 37
10 MATER RES EXPRESS 36

高引用文章

  • An Improved Particle Filter With a Novel Hybrid Proposal Distribution for Quantitative Analysis of Gold Immunochromatographic Strips引用次数:44
  • Graphene-Silicon Schottky Diodes for Photodetection引用次数:26
  • One-Step Synthesis of Au/SnO2/RGO Nanocomposites and Their VOC Sensing Properties引用次数:21
  • Perovskite Methylammonium Lead Trihalide Heterostructures: Progress and Challenges引用次数:18
  • Digital Metasurface Based on Graphene: An Application to Beam Steering in Terahertz Plasmonic Antennas引用次数:17
  • Engineering Hexagonal Array of Nanoholes for High Sensitivity Biosensor and Application for Human Blood Group Detection引用次数:14
  • Highly Sensitive Ammonia Sensors Based on Ag-Decorated WO3 Nanorods引用次数:14
  • Parasitic Effect Analysis in Memristor-Array-Based Neuromorphic Systems引用次数:13
  • Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures引用次数:12
  • Understanding Energy Efficiency Benefits of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for Digital VLSI引用次数:12
免责声明

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