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IEEE核科学汇刊

英文名称:Ieee Transactions On Nuclear Science   国际简称:IEEE T NUCL SCI
《Ieee Transactions On Nuclear Science》杂志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊创刊于1954年,发行周期Bimonthly,每期杂志都汇聚了全球工程技术领域的最新研究成果,包括原创论文、综述文章、研究快报等多种形式,内容涵盖了工程技术的各个方面,为读者提供了全面而深入的学术视野,为工程技术-NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY事业的进步提供了有力的支撑。
中科院分区
工程技术
大类学科
0018-9499
ISSN
1558-1578
E-ISSN
预计审稿速度: 约3.0个月
杂志简介 期刊指数 WOS分区 中科院分区 CiteScore 学术指标 高引用文章

IEEE核科学汇刊杂志简介

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版语言:English
TOP期刊:
出版地区:UNITED STATES
是否预警:

是否OA:未开放

出版周期:Bimonthly
出版年份:1954
中文名称:IEEE核科学汇刊

IEEE核科学汇刊(国际简称IEEE T NUCL SCI,英文名称Ieee Transactions On Nuclear Science)是一本未开放获取(OA)国际期刊,自1954年创刊以来,始终站在工程技术研究的前沿。该期刊致力于发表在工程技术领域各个方面达到最高科学标准和具有重要性的研究成果。全面反映该学科的发展趋势,为工程技术事业的进步提供了有力的支撑。期刊严格遵循职业道德标准,对于任何形式的抄袭行为,无论是文字还是图形,一旦查实,均可能导致稿件被拒绝。

近年来,来自USA、CHINA MAINLAND、France、Italy、Switzerland、Japan、GERMANY (FED REP GER)、South Korea、England、Russia等国家和地区的研究者在《Ieee Transactions On Nuclear Science》上发表了大量的高质量文章。该期刊内容丰富,包括原创研究、综述文章、专题观点、论文预览、专家意见等多种类型,旨在为全球该领域研究者提供广泛的学术交流平台和灵感来源。

在过去几年中,该期刊保持了稳定的发文量和综述量,具体数据如下:

2014年:发表文章499篇、2015年:发表文章381篇、2016年:发表文章363篇、2017年:发表文章381篇、2018年:发表文章376篇、2019年:发表文章289篇、2020年:发表文章320篇、2021年:发表文章331篇、2022年:发表文章282篇、2023年:发表文章330篇。这些数据反映了期刊在全球工程技术领域的影响力和活跃度,同时也展示了其作为学术界和工业界研究人员首选资源的地位。《Ieee Transactions On Nuclear Science》将继续致力于推动工程技术领域的知识传播和科学进步,为全球工程技术问题的解决贡献力量。

期刊指数

  • 影响因子:1.9
  • 文章自引率:0.2777...
  • Gold OA文章占比:16.44%
  • CiteScore:3.7
  • 年发文量:330
  • 开源占比:0.1597
  • SJR指数:0.537
  • H-index:110
  • SNIP指数:1.339
  • 出版国人文章占比:0.13

WOS期刊SCI分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

学科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q1 10 / 40

76.3%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 354

58.05%

学科:NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q2 13 / 40

68.75%

中科院分区表

中科院SCI期刊分区 2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 3区
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科学技术 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区 3区

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
3.7 0.537 1.339
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Energy 小类:Nuclear Energy and Engineering Q2 23 / 77

70%

大类:Energy 小类:Nuclear and High Energy Physics Q2 31 / 87

64%

大类:Energy 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 361 / 797

54%

学术指标分析

影响因子和CiteScore
自引率

影响因子:指某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。影响因子越高,代表着期刊的影响力越大 。

CiteScore:该值越高,代表该期刊的论文受到更多其他学者的引用,因此该期刊的影响力也越高。

自引率:是衡量期刊质量和影响力的重要指标之一。通过计算期刊被自身引用的次数与总被引次数的比例,可以反映期刊对于自身研究内容的重视程度以及内部引用的情况。

年发文量:是衡量期刊活跃度和研究产出能力的重要指标,年发文量较多的期刊可能拥有更广泛的读者群体和更高的学术声誉,从而吸引更多的优质稿件。

期刊互引关系
序号 引用他刊情况 引用次数
1 IEEE T NUCL SCI 1985
2 NUCL INSTRUM METH A 350
3 J INSTRUM 147
4 APPL PHYS LETT 112
5 J APPL PHYS 102
6 IEEE T ELECTRON DEV 84
7 NUCL INSTRUM METH B 60
8 MED PHYS 52
9 MICROELECTRON RELIAB 50
10 PHYS MED BIOL 48
序号 被他刊引用情况 引用次数
1 IEEE T NUCL SCI 1985
2 NUCL INSTRUM METH A 1041
3 PHYS MED BIOL 365
4 MICROELECTRON RELIAB 360
5 J INSTRUM 341
6 IEEE T ELECTRON DEV 192
7 PROG NUCL ENERG 188
8 ELECTRONICS-SWITZ 168
9 IEEE ACCESS 160
10 SENSORS-BASEL 159

高引用文章

  • Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators引用次数:53
  • Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling引用次数:15
  • Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate引用次数:12
  • Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics引用次数:11
  • Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout引用次数:11
  • Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses引用次数:9
  • LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications引用次数:9
  • Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields引用次数:9
  • Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal引用次数:9
  • Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs引用次数:8
若用户需要出版服务,请联系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。