当前位置: 首页 SCI杂志 SCIE杂志 工程技术 中科院4区 JCRQ3 杂志介绍(非官网)

真空科学与技术学报B

英文名称:Journal Of Vacuum Science & Technology B   国际简称:J VAC SCI TECHNOL B
《Journal Of Vacuum Science & Technology B》杂志由A V S AMER INST PHYSICS出版社出版,本刊创刊于1991年,发行周期Bimonthly,每期杂志都汇聚了全球工程技术领域的最新研究成果,包括原创论文、综述文章、研究快报等多种形式,内容涵盖了工程技术的各个方面,为读者提供了全面而深入的学术视野,为工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事业的进步提供了有力的支撑。
中科院分区
工程技术
大类学科
1071-1023
ISSN
2166-2754
E-ISSN
预计审稿速度: 约3.0个月
杂志简介 期刊指数 WOS分区 中科院分区 学术指标 高引用文章

真空科学与技术学报B杂志简介

出版商:A V S AMER INST PHYSICS
出版语言:English
TOP期刊:
出版地区:UNITED STATES
是否预警:

是否OA:未开放

出版周期:Bimonthly
出版年份:1991
中文名称:真空科学与技术学报B

真空科学与技术学报B(国际简称J VAC SCI TECHNOL B,英文名称Journal Of Vacuum Science & Technology B)是一本未开放获取(OA)国际期刊,自1991年创刊以来,始终站在工程技术研究的前沿。该期刊致力于发表在工程技术领域各个方面达到最高科学标准和具有重要性的研究成果。全面反映该学科的发展趋势,为工程技术事业的进步提供了有力的支撑。期刊严格遵循职业道德标准,对于任何形式的抄袭行为,无论是文字还是图形,一旦查实,均可能导致稿件被拒绝。

在过去几年中,该期刊保持了稳定的发文量和综述量,具体数据如下:

2014年:发表文章284篇、2015年:发表文章281篇、2016年:发表文章293篇、2017年:发表文章245篇、2018年:发表文章231篇、2019年:发表文章137篇、2020年:发表文章206篇、2021年:发表文章149篇、2022年:发表文章155篇、2023年:发表文章197篇。这些数据反映了期刊在全球工程技术领域的影响力和活跃度,同时也展示了其作为学术界和工业界研究人员首选资源的地位。《Journal Of Vacuum Science & Technology B》将继续致力于推动工程技术领域的知识传播和科学进步,为全球工程技术问题的解决贡献力量。

期刊指数

  • 影响因子:1.5
  • 文章自引率:0.1428...
  • Gold OA文章占比:16.37%
  • 年发文量:197
  • 开源占比:0.2239
  • OA被引用占比:0.1270...

WOS期刊SCI分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 252 / 352

28.6%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140

18.2%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 134 / 179

25.4%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354

21.61%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140

18.21%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179

19.27%

中科院分区表

中科院SCI期刊分区 2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

学术指标分析

影响因子和CiteScore
自引率

影响因子:指某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。影响因子越高,代表着期刊的影响力越大 。

CiteScore:该值越高,代表该期刊的论文受到更多其他学者的引用,因此该期刊的影响力也越高。

自引率:是衡量期刊质量和影响力的重要指标之一。通过计算期刊被自身引用的次数与总被引次数的比例,可以反映期刊对于自身研究内容的重视程度以及内部引用的情况。

年发文量:是衡量期刊活跃度和研究产出能力的重要指标,年发文量较多的期刊可能拥有更广泛的读者群体和更高的学术声誉,从而吸引更多的优质稿件。

期刊互引关系
序号 引用他刊情况 引用次数
1 APPL PHYS LETT 314
2 J VAC SCI TECHNOL B 201
3 J APPL PHYS 198
4 PHYS REV B 108
5 J VAC SCI TECHNOL A 80
6 NANO LETT 77
7 THIN SOLID FILMS 66
8 APPL SURF SCI 62
9 MICROELECTRON ENG 62
10 NANOTECHNOLOGY 62
序号 被他刊引用情况 引用次数
1 JPN J APPL PHYS 267
2 J APPL PHYS 249
3 J VAC SCI TECHNOL B 201
4 APPL SURF SCI 152
5 J VAC SCI TECHNOL A 141
6 ACS APPL MATER INTER 126
7 NANOTECHNOLOGY 121
8 APPL PHYS LETT 112
9 ECS J SOLID STATE SC 105
10 MATER RES EXPRESS 94

高引用文章

  • Review Article: Synthesis, properties, and applications of fluorescent diamond particles引用次数:21
  • Review Article: Atomic layer deposition of optoelectronic materials引用次数:14
  • Tutorial on interpreting x-ray photoelectron spectroscopy survey spectra: Questions and answers on spectra from the atomic layer deposition of Al2O3 on silicon引用次数:9
  • Future prospects of fluoride based upconversion nanoparticles for emerging applications in biomedical and energy harvesting引用次数:7
  • Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 with elemental capping layers引用次数:7
  • High-density energy storage in Si-doped hafnium oxide thin films on area-enhanced substrates引用次数:6
  • Minimal domain size necessary to simulate the field enhancement factor numerically with specified precision引用次数:6
  • Direct metal etch of ruthenium for advanced interconnect引用次数:6
  • Reduced twinning and surface roughness of Bi2Se3 and Bi2Te3 layers grown by molecular beam epitaxy on sapphire substrates引用次数:6
  • Atomic force microscope integrated with a scanning electron microscope for correlative nanofabrication and microscopy引用次数:6
若用户需要出版服务,请联系出版商:A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。