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IEEE量子电子学杂志

英文名称:Ieee Journal Of Quantum Electronics   国际简称:IEEE J QUANTUM ELECT
《Ieee Journal Of Quantum Electronics》杂志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版,本刊创刊于1965年,发行周期Monthly,每期杂志都汇聚了全球工程技术领域的最新研究成果,包括原创论文、综述文章、研究快报等多种形式,内容涵盖了工程技术的各个方面,为读者提供了全面而深入的学术视野,为工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事业的进步提供了有力的支撑。
中科院分区
工程技术
大类学科
0018-9197
ISSN
1558-1713
E-ISSN
预计审稿速度: 约3.0个月
杂志简介 期刊指数 WOS分区 中科院分区 CiteScore 学术指标 高引用文章

IEEE量子电子学杂志杂志简介

出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版语言:English
TOP期刊:
出版地区:UNITED STATES
是否预警:

是否OA:未开放

出版周期:Monthly
出版年份:1965
中文名称:IEEE量子电子学杂志

IEEE量子电子学杂志(国际简称IEEE J QUANTUM ELECT,英文名称Ieee Journal Of Quantum Electronics)是一本未开放获取(OA)国际期刊,自1965年创刊以来,始终站在工程技术研究的前沿。该期刊致力于发表在工程技术领域各个方面达到最高科学标准和具有重要性的研究成果。全面反映该学科的发展趋势,为工程技术事业的进步提供了有力的支撑。期刊严格遵循职业道德标准,对于任何形式的抄袭行为,无论是文字还是图形,一旦查实,均可能导致稿件被拒绝。

近年来,来自CHINA MAINLAND、USA、France、England、India、Canada、Russia、Singapore、South Korea、Belgium等国家和地区的研究者在《Ieee Journal Of Quantum Electronics》上发表了大量的高质量文章。该期刊内容丰富,包括原创研究、综述文章、专题观点、论文预览、专家意见等多种类型,旨在为全球该领域研究者提供广泛的学术交流平台和灵感来源。

在过去几年中,该期刊保持了稳定的发文量和综述量,具体数据如下:

2014年:发表文章111篇、2015年:发表文章107篇、2016年:发表文章82篇、2017年:发表文章79篇、2018年:发表文章97篇、2019年:发表文章61篇、2020年:发表文章103篇、2021年:发表文章78篇、2022年:发表文章81篇、2023年:发表文章81篇。这些数据反映了期刊在全球工程技术领域的影响力和活跃度,同时也展示了其作为学术界和工业界研究人员首选资源的地位。《Ieee Journal Of Quantum Electronics》将继续致力于推动工程技术领域的知识传播和科学进步,为全球工程技术问题的解决贡献力量。

期刊指数

  • 影响因子:2.2
  • 文章自引率:0.04
  • Gold OA文章占比:11.62%
  • CiteScore:4.7
  • 年发文量:81
  • 开源占比:0.1288
  • SJR指数:0.563
  • H-index:120
  • SNIP指数:0.893
  • 出版国人文章占比:0.23

WOS期刊SCI分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 183 / 352

48.2%

学科:OPTICS SCIE Q2 57 / 119

52.5%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 104 / 179

42.2%

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 18 / 26

32.7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 162 / 354

54.38%

学科:OPTICS SCIE Q2 55 / 120

54.58%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 74 / 179

58.94%

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 16 / 26

40.38%

中科院分区表

中科院SCI期刊分区 2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技
3区 3区 3区 4区

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4.7 0.563 0.893
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q2 151 / 434

65%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 281 / 797

64%

大类:Physics and Astronomy 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 82 / 224

63%

学术指标分析

影响因子和CiteScore
自引率

影响因子:指某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。影响因子越高,代表着期刊的影响力越大 。

CiteScore:该值越高,代表该期刊的论文受到更多其他学者的引用,因此该期刊的影响力也越高。

自引率:是衡量期刊质量和影响力的重要指标之一。通过计算期刊被自身引用的次数与总被引次数的比例,可以反映期刊对于自身研究内容的重视程度以及内部引用的情况。

年发文量:是衡量期刊活跃度和研究产出能力的重要指标,年发文量较多的期刊可能拥有更广泛的读者群体和更高的学术声誉,从而吸引更多的优质稿件。

期刊互引关系
序号 引用他刊情况 引用次数
1 APPL PHYS LETT 188
2 OPT EXPRESS 171
3 IEEE J QUANTUM ELECT 120
4 OPT LETT 96
5 others 94
6 IEEE PHOTONIC TECH L 81
7 IEEE J SEL TOP QUANT 65
8 J LIGHTWAVE TECHNOL 56
9 J APPL PHYS 51
10 PHYS REV A 50
序号 被他刊引用情况 引用次数
1 OPT EXPRESS 680
2 others 517
3 OPT LETT 302
4 IEEE J SEL TOP QUANT 239
5 OPTIK 200
6 J OPT SOC AM B 190
7 APPL OPTICS 185
8 J LIGHTWAVE TECHNOL 174
9 OPT COMMUN 166
10 OPT LASER TECHNOL 154

高引用文章

  • A Review of High-Performance Quantum Dot Lasers on Silicon引用次数:26
  • Fabrication and Characterization of Active-Matrix 960 x 540 Blue GaN-Based Micro-LED Display引用次数:18
  • Purcell Effect in the Stimulated and Spontaneous Emission Rates of Nanoscale Semiconductor Lasers引用次数:14
  • Designing Dual-Band Absorbers by Graphene/Metallic Metasurfaces引用次数:11
  • Mode Division Multiplexing Based on Ring Core Optical Fibers引用次数:10
  • Numerical Implementation of Wavelength-Dependent Photonic Spike Timing Dependent Plasticity Based on VCSOA引用次数:8
  • Continuous-Variable Quantum Key Distribution With Self-Reference Detection and Discrete Modulation引用次数:7
  • Broadband Microwave Signal Processing Enabled by Polarization-Based Photonic Microwave Phase Shifters引用次数:7
  • 752-MHz Modulation Bandwidth of High-Speed Blue Micro Light-Emitting Diodes引用次数:6
  • Mid-Wave Infrared InAs/GaSb Type-II Superlattice Photodetector With n-B-p Design Grown on GaAs Substrate引用次数:6
若用户需要出版服务,请联系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。