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半导体科技

英文名称:Semiconductor Science And Technology   国际简称:SEMICOND SCI TECH
《Semiconductor Science And Technology》杂志由IOP Publishing Ltd.出版社出版,本刊创刊于1986年,发行周期Monthly,每期杂志都汇聚了全球工程技术领域的最新研究成果,包括原创论文、综述文章、研究快报等多种形式,内容涵盖了工程技术的各个方面,为读者提供了全面而深入的学术视野,为工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC事业的进步提供了有力的支撑。
中科院分区
工程技术
大类学科
0268-1242
ISSN
1361-6641
E-ISSN
预计审稿速度: 一般,3-6周
杂志简介 期刊指数 WOS分区 中科院分区 CiteScore 学术指标 高引用文章

半导体科技杂志简介

出版商:IOP Publishing Ltd.
出版语言:English
TOP期刊:
出版地区:ENGLAND
是否预警:

是否OA:未开放

出版周期:Monthly
出版年份:1986
中文名称:半导体科技

半导体科技(国际简称SEMICOND SCI TECH,英文名称Semiconductor Science And Technology)是一本未开放获取(OA)国际期刊,自1986年创刊以来,始终站在工程技术研究的前沿。该期刊致力于发表在工程技术领域各个方面达到最高科学标准和具有重要性的研究成果。全面反映该学科的发展趋势,为工程技术事业的进步提供了有力的支撑。期刊严格遵循职业道德标准,对于任何形式的抄袭行为,无论是文字还是图形,一旦查实,均可能导致稿件被拒绝。

近年来,来自CHINA MAINLAND、USA、India、GERMANY (FED REP GER)、South Korea、England、Japan、France、Russia、Taiwan等国家和地区的研究者在《Semiconductor Science And Technology》上发表了大量的高质量文章。该期刊内容丰富,包括原创研究、综述文章、专题观点、论文预览、专家意见等多种类型,旨在为全球该领域研究者提供广泛的学术交流平台和灵感来源。

在过去几年中,该期刊保持了稳定的发文量和综述量,具体数据如下:

2014年:发表文章239篇、2015年:发表文章283篇、2016年:发表文章274篇、2017年:发表文章295篇、2018年:发表文章293篇、2019年:发表文章338篇、2020年:发表文章392篇、2021年:发表文章326篇、2022年:发表文章260篇、2023年:发表文章193篇。这些数据反映了期刊在全球工程技术领域的影响力和活跃度,同时也展示了其作为学术界和工业界研究人员首选资源的地位。《Semiconductor Science And Technology》将继续致力于推动工程技术领域的知识传播和科学进步,为全球工程技术问题的解决贡献力量。

期刊指数

  • 影响因子:1.9
  • 文章自引率:0.0526...
  • Gold OA文章占比:10.23%
  • CiteScore:4.3
  • 年发文量:193
  • 开源占比:0.0715
  • SJR指数:0.411
  • H-index:99
  • SNIP指数:0.741
  • OA被引用占比:0.0493...
  • 出版国人文章占比:0.19

WOS期刊SCI分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 301 / 438

31.4%

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 50 / 79

37.3%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 293 / 438

33.22%

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 51 / 79

36.08%

中科院分区表

中科院SCI期刊分区 2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区 4区 4区

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4.3 0.411 0.741
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 305 / 797

61%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q2 167 / 434

61%

大类:Engineering 小类:Materials Chemistry Q2 137 / 317

56%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 126 / 284

55%

学术指标分析

影响因子和CiteScore
自引率

影响因子:指某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。影响因子越高,代表着期刊的影响力越大 。

CiteScore:该值越高,代表该期刊的论文受到更多其他学者的引用,因此该期刊的影响力也越高。

自引率:是衡量期刊质量和影响力的重要指标之一。通过计算期刊被自身引用的次数与总被引次数的比例,可以反映期刊对于自身研究内容的重视程度以及内部引用的情况。

年发文量:是衡量期刊活跃度和研究产出能力的重要指标,年发文量较多的期刊可能拥有更广泛的读者群体和更高的学术声誉,从而吸引更多的优质稿件。

期刊互引关系
序号 引用他刊情况 引用次数
1 APPL PHYS LETT 1311
2 J APPL PHYS 761
3 PHYS REV B 700
4 IEEE T ELECTRON DEV 412
5 PHYS REV LETT 332
6 IEEE ELECTR DEVICE L 277
7 SEMICOND SCI TECH 276
8 NANO LETT 236
9 THIN SOLID FILMS 162
10 J CRYST GROWTH 150
序号 被他刊引用情况 引用次数
1 J APPL PHYS 337
2 SEMICOND SCI TECH 276
3 PHYS REV B 205
4 MATER RES EXPRESS 191
5 APPL PHYS LETT 185
6 JPN J APPL PHYS 169
7 IEEE T ELECTRON DEV 145
8 SCI REP-UK 134
9 APPL SURF SCI 118
10 J MATER SCI-MATER EL 118

高引用文章

  • beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics and optoelectronics引用次数:59
  • Phase-change materials for non-volatile memory devices: from technological challenges to materials science issues引用次数:53
  • Metal oxide nanostructures for sensor applications引用次数:29
  • How to control defect formation in monolithic III/V hetero-epitaxy on (100) Si? A critical review on current approaches引用次数:28
  • Terahertz radiation detectors: the state-of-the-art引用次数:21
  • Structural, electronic and phononic properties of PtSe2: from monolayer to bulk引用次数:19
  • Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem perovskite solar cells引用次数:18
  • Biaxial strain tuned electronic structures and power factor in Janus transition metal dichalchogenide monolayers引用次数:17
  • A comprehensive device modelling of perovskite solar cell with inorganic copper iodide as hole transport material引用次数:15
  • The transport and optical sensing properties of MoS MoSe WS2 and WSe2 semiconducting transition metal dichalcogenides引用次数:15
若用户需要出版服务,请联系出版商:IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。